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事業概要
電力増幅効率の大幅な改善と大量生産を実現する、5G用ミリ波トランジスタ。
米国 マサチューセッツ州 Waltham
2012年
約11-50名
Series A
調達額累計: $18.6M
未上場
Active
Data partially provided byCrunchbase
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サービス・製品概要
2022.093DGaN
・電力増幅効率の大幅な改善と大量生産を実現する、5G用ミリ波トランジスタ。
・MITからのスピンオフである同社は、窒化ガリウム (GaN) を採用したFinFETである3DGaNを基盤としたトランジスタを開発。5Gミリ波ネットワークにおける、通信エリアの狭さや障害物による遮断性といったボトルネックの解消を目指す。
・MITからのスピンオフである同社は、窒化ガリウム (GaN) を採用したFinFETである3DGaNを基盤としたトランジスタを開発。5Gミリ波ネットワークにおける、通信エリアの狭さや障害物による遮断性といったボトルネックの解消を目指す。
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サービス紹介
2022.09
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資金調達情報 / 助成金
2022.09法人向け情報プラットフォーム
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代表プロフィール
Bin Lu
Co-Founder & CEO
Massachusetts Insutitute of Technologyにて物理工学の修士号ならびに博士号を取得。在学中の2012年、GaNトランジスタに関する論文でIEEEのジョージ E. スミス賞を受賞した。同年にFinwave Semiconductor (旧Cambridge Electronics)を共同設立し、製品開発部門のVPに就任。2017年から同社CEOを務める。
資金調達情報
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米国 マサチューセッツ州 Waltham
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約11-50名
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調達額累計: $18.6M
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