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事業概要
GaN-on-Si技術を基盤とした高周波RFデバイス技術。
米国 マサチューセッツ州 Waltham
2012年
約11-50名
Series B
調達額累計: $26.8M
未上場
Active
Data partially provided byCrunchbase
※基本情報はCrunchbaseの最新情報を反映しています
サービス・製品概要
2022.093DGaN
・電力増幅効率の大幅な改善と大量生産を実現する、5G用ミリ波トランジスタ。
・MITからのスピンオフである同社は、窒化ガリウム (GaN) を採用したFinFETである3DGaNを基盤としたトランジスタを開発。5Gミリ波ネットワークにおける、通信エリアの狭さや障害物による遮断性といったボトルネックの解消を目指す。
・MITからのスピンオフである同社は、窒化ガリウム (GaN) を採用したFinFETである3DGaNを基盤としたトランジスタを開発。5Gミリ波ネットワークにおける、通信エリアの狭さや障害物による遮断性といったボトルネックの解消を目指す。
法人向け情報プラットフォーム
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サービス紹介
2022.09
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資金調達情報 / 助成金
2022.09法人向け情報プラットフォーム
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代表プロフィール
Pierre-Yves Lesaicherre
CEO
Grenoble Institute of Technologyで材料科学の修士および博士号、INSEADでMBAを取得。半導体製造のNEC Electronics、NXP Semiconductorsの後、LEDなど車両照明メーカーのLumiledsのCEO、プロセス制御システムのNanometricsのCEOを経て、2023年、FinwaveのCEOに就任。
資金調達情報
法人向け情報プラットフォーム
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類似企業
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米国 マサチューセッツ州 Waltham
2012年
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